Доступен на авторизованном компьютере Национальной библиотеки Эстонии, Архивной библиотеки Эстонского литературного музея, библиотеки Таллиннского технического университета, библиотеки Тартуского университета u Академической библиотеки Таллиннского университета
Доступно в сети Национальной библиотеки Эстонии
Открытый доступ предоставляется
Characterization of silicon carbide (SiC) and graphene-based novel semiconductor devices = Ränikarbiidil (SiC) ja grafeenil pōhinevate uudsete pooljuhtstruktuuride karakteriseerimine
Автор: Muhammad Haroon Rashid, Tallinna Tehnikaülikool. Elektroonikainstituut, Научный руководитель: Ants Koel, Toomas Rang
Сборник научно-технических статей ; 6 1967Projekteerimise ja Teadusliku Uurimise Instituut, Elektrotehnika Teadusliku Uurimise Instituut, Eesti NSV Rahvamajanduse Nõukogu. Masinaehituse Valitsus